高頻化、集成化、標準模塊化和智能化是電力電子器件未來(lái)的主要發(fā)展方向。
 

　　(1)隨著(zhù)電力電子技術(shù)應用的不斷發(fā)展，對電力電子器件性能指標和可靠性的要求也日益苛刻。具體而言，要求電力電子器件具有更大的電流密度、更高的工作溫度、更強的散熱能力、更高的工作電壓、更低的通態(tài)壓降、更快的開(kāi)關(guān)時(shí)間，而對于航天和軍事應用，還要求有更強的抗輻射能力和抗振動(dòng)沖擊能力。特別是航天、航空、艦船、輸變電、機車(chē)、裝甲車(chē)輛等使用條件惡劣的應用領(lǐng)域，以上要求更為迫切。
 

　　(2)未來(lái)幾年中，盡管以硅為半導體材料的雙極功率器件和場(chǎng)控功率器件已趨于成熟，但是各種新結構和新工藝的引入，仍可使其性能得到進(jìn)一步提高和改善，Coolmos、各種改進(jìn)型IGBT和IGCT均有相當的生命力和競爭力。
 

　　(3)電力電子器件的智能化應用也在不斷研究中取得了實(shí)質(zhì)成果。一些國外制造企業(yè)已經(jīng)開(kāi)發(fā)出了相應的IPM智能化功率模塊，結構簡(jiǎn)單、功能齊全、運行可靠性高，并具有自診斷和保護的功能。
 

　　(4)新型高頻器件碳化硅和氮化鎵器件正在迅速發(fā)展，一些器件有望在不遠的將來(lái)實(shí)現商品化，總部位于美國北卡羅來(lái)納的CREE公司已經(jīng)實(shí)現商用的SiC二極管和MOSFET[2]  。但由于材料和制造工藝方面的問(wèn)題，還需要大量的研究投入和時(shí)間才能逐步解決，位于北卡州立大學(xué)的FREEDM中心正在對此技術(shù)進(jìn)行研究。